聚硅氮烷自旋涂层介电材料（Polysilazane SOD）

SOD 作为半导体器件中 STI、IMD、PMD 等芯片间及层间绝缘膜的填隙材料，
在防止电气干扰方面起着重要作用。
由于绝缘膜中产生的微小空隙可能导致栅极短路，随着线宽的不断细化，绝缘材料的重要性日益凸显。
因此，传统采用 CVD 方法沉积的绝缘材料正在逐步向自旋涂层绝缘材料（Spin-on Dielectric, SOD）工艺转变，
相应的材料也正在研究更适合涂层工艺的配方。
NeoPatem 精心研发的 Polysilazane SOD（自旋涂层绝缘材料）将在半导体制造产业的填隙技术领域发挥领先作用。

自旋涂布碳层（SOC）

为了简化半导体制造工艺，提高低能耗高效率的生产力，半导体产业通常采用化学气相沉积法（CVD）进行多层结构的微细图案形成。本公司研发的自旋涂布非晶碳（spin-on amorphous carbon）作为硬掩膜（hard mask）使用，用于半导体ArF光刻胶蚀刻工艺中防止Si图案损伤，旨在替代通过CVD工艺形成的非晶碳层。 在半导体工艺中，SiON膜的沉积过程需在400°C以上温度进行，因此本材料被开发为能够耐受高达600°C高温环境，具备卓越的耐高温性能，具备独特的配方，不易被竞争对手模仿，且支持量产。该硬掩膜聚合物采用简便的自旋涂布工艺形成，基于硅氧烷（Siloxane）化合物，结合有机聚合物，并添加交联剂及助剂，有效调控其光学、热学及表面性能，显著提升硬掩膜膜层与感光层之间的蚀刻选择比，强化了其作为自旋涂布工艺硬掩膜的应用特性。

高纯度表面活性剂（SRF）清洗剂

本公司开发的高纯度半导体器件制造用表面活性剂清洗液，针对图案微细化过程中，显影后冲洗阶段因去离子水（DI水）表面张力引起的图案倒塌现象及其导致的颗粒缺陷问题，开发出低表面张力的半导体清洗用表面活性剂（Surfactant）。
通常，在形成70纳米以下的微细图案时，将光刻胶膜厚度降低至200纳米以下以防止图案倒塌。
此时使用的193纳米曝光设备所用的光敏剂为脂肪族光敏剂，由于其蚀刻耐受性不足，蚀刻后下层如聚合物、金属、二氧化硅等层发生变形，导致半导体制造无法进行。且随着图案微细化，均匀度下降会引发半导体器件问题，为克服此问题，需形成较厚的光刻胶层。
然而，在通常的显影工艺中，若以水作为最终清洗液，则因水的表面张力引起图案倒塌，因此在最终冲洗阶段使用添加表面活性剂的清洗液成为解决方案。
本公司清洗产品采用脂肪酸醇酰胺类表面活性剂溶解于超纯水中，大幅降低表面张力，有效防止图案倒塌现象及由浑浊度（微细颗粒）引起的缺陷。
作为关键成分的表面活性剂，凭借独特的化学结构由本公司自主研发合成， 同时采用自主开发的防腐剂进行配比制造。
此外，该系列产品为无壬基酚（Nonylphenol Free）环保型产品，获得绿色认证。

化学放大型光刻胶添加剂

TAG系列（热酸发生剂）

在半导体器件制造工艺中，光刻胶为了改善图案线宽变窄（pattern width slimming）现象， 通常会添加热酸发生剂（TAG）。
在显影工艺后形成的图案会再次加热，通过热酸发生剂释放酸性物质， 使光敏剂发生交联反应，从而有效消除图案形成后线宽缩小的问题。

对甲苯磺酸（P-TSA）系列

对甲苯磺酸

三氟甲磺酸（Triflic acid）系列

三氟甲磺酸

九氟化系列

全氟丁烷磺酸

ST-PAG 系列（光酸发生剂）

为了实现半导体器件的超高分辨率微细加工，采用高灵敏度的化学放大型光刻胶。
其主要成分为酸反应性高分子和光酸发生剂，有机磺酸酯在深紫外线照射下光解产生强酸， 该强酸作为催化剂与酸反应性高分子发生反应，启动连锁反应，引发大量的化学键合或分解反应。
产生的酸在曝光后加热处理（后曝光烘烤，PEB）过程中，作为催化剂作用于酸反应性物质， 增强化学反应并显著改变其溶解度差异。

可实现多种-R取代